SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1 from China manufacturer

Payment Terms:	T/T,L/C
Place of Origin:	Shanghai, China (Mainland)


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Product Detail

Model No.: 33254-1

SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE: Cl H

Means of Transport: Ocean,Land,Air

SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1 is made of special glass fiber cloth impregnated with imine resin, then dried and pressed in the mold. Thermal Cl H

SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1

SEMICONDUTOR ONDINHA LADO33254-1

COMPONENT:SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE is made of special glass fiber cloth impregnated with imine resin, then dried and pressed in the mold. It can be used in large generator from 200MW to 1000MW. The surface is black and smooth, free from foreign impurity, crack, bubble and delaminations.But slight uneven color and imperfect resin are allowed to insure compliance with all properties, the edge would be cut in good order.

COMPONENTE:SEMICONDUTOR ONDINHA LADO é feita de pano de fibra de vidro impregnada com resina especial imina, em seguida seca e prensada em molde. Ele pode ser utilizado em larga gerador de 200 MW de 1000 MW. A superfície é preta e lisa, livre de impureza externa, crack, bolha e delaminações. Mas leve cor desigual e resina imperfeito estão autorizadas a garantir a conformidade com todas as propriedades, a borda seria cortado em boa ordem.

PROPERTIES PROPRIEDADES

No.	Index Designation IndiceDesignação	Index *DADOS*
1	Thickness Espessura	0.5±0.1mm	0.7±0.1mm	0.9±0.1mm
2	Maximum Deformation Deformaçãomáxima	5.08mm
3	Ripple Distance RippleDistância	60.35mm
4	Specific Gravity Peso específico	≥1.8kg/cm³
5	Temperature Index *Índicede Temperatura*	180 ℃ Degree(Cl. H)
6	Glass Transition Tem. *Temperatura de Transição Vítrea* (Tg)	190 ℃
7	StressValue *Valorestresse***	≥558.6N	≥650N	≥1647.5N
8	Stress after heat aging *Estresseapósenvelhecimento de calor* 130 ℃/96h	≥200N	≥450N	≥1424N
9	Stress after heat aging *Estresseapósenvelhecimento de calor* 155 ℃/96h	≥190N	≥410N	≥1335N
10	Edge Compression *compressãode Borda***	≥1.960Mpa
11	Cracking Test *CrackingTeste*** 135+5 ℃/10min.	Without Cracking *semCracking***
12	Surface Resistance *Resistênciada superfície***	1.5x10⁴ -7.5x10⁵Ω
13	Resin Content *resinaconteúdo***	35±3%